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大阪大學的研究人員通過改變壓力,將有希望的熱電材料的功率因數(shù)提高了100%以上,為具有改善的熱電性能的新材料鋪平了道路。熱電材料具有從溫差發(fā)電的獨特能力,因此可能用于將否則浪費的熱量(例如來自熱筆記本電腦或服務器的熱量)轉(zhuǎn)換成可用電力。
除了改善的熱電特性的材料,研究人員發(fā)現(xiàn),材料的熱電性能從電子能帶結(jié)構(gòu),其被稱為利弗席茲過渡的拓撲結(jié)構(gòu)的過渡起源。這種轉(zhuǎn)變不同于傳統(tǒng)的Landau型相變,因為它發(fā)生時沒有任何對稱性破壞。研究人員長期以來有理由相信Lifshitz過渡在許多量子現(xiàn)象中起著至關重要的作用,例如超導性,復雜磁性和熱電性質(zhì),但它們?nèi)狈χ苯幼C據(jù)。
在這項新研究中,大阪大學的研究人員表明,Lifshitz過渡與熱電材料的物理特性之間存在直接聯(lián)系。“通過施加壓力并在壓力增加時測量量子振蕩,我們能夠跟蹤Lifshitz過渡,”相應的作者Hideaki Sakai說。
研究人員研究了錫硒化物(SnSe),這是一種熱電材料,也是一種含有少量導電載體的半導體。在半導體中,較低的能量價帶充滿電子,而較高的能量導帶則沒有電子; 一旦引入一些雜質(zhì)和/或化學缺陷,導電載體分別作為導電帶和價帶中的電子和空穴引入,并且半導體將表現(xiàn)得像導體。除了對材料的導電性能產(chǎn)生影響外,帶結(jié)構(gòu)還對量子現(xiàn)象產(chǎn)生影響,例如它們的熱電能力。錫硒化物的價帶不是完全平坦的,但通常在其中具有兩個谷。
“當我們增加對材料的壓力時,我們觀察到當Lifshitz過渡發(fā)生時,材料中的兩個谷變?yōu)樗膫€,”Hideaki Sakai說。研究人員能夠在實驗和理論上證明,谷的數(shù)量的這種變化直接導致了硒化物的熱電性能的顯著改善。
該研究的結(jié)果可能有助于在未來制備改進的熱電材料,并且還可以幫助闡明Lifshitz過渡對各種傳輸特性的影響,從而導致潛在的應用,例如利用帶結(jié)構(gòu)中的谷自由度的新型電子器件。
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