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有消息稱長鑫存儲(chǔ),建在合肥的新工廠已經(jīng)開始進(jìn)行18.5納米工藝的DRAM芯片的批量生產(chǎn)。合肥工廠一期目前已經(jīng)基本上接近滿負(fù)荷進(jìn)行生產(chǎn),每個(gè)月的產(chǎn)量將可以到10萬片晶圓。
合肥工廠二期的擴(kuò)建工程預(yù)計(jì)完成的時(shí)間是2024年底,屆時(shí)每個(gè)月的產(chǎn)量將會(huì)增加4萬片晶圓。長鑫存儲(chǔ)的DRAM總產(chǎn)能,二期擴(kuò)建完成之后,在全球總規(guī)模中所占的比例將會(huì)達(dá)到10%。一直以來長興存儲(chǔ)都專注于進(jìn)行DRAM存儲(chǔ)的生產(chǎn)和研發(fā),長江存儲(chǔ)則專注于進(jìn)行NAND閃存的生產(chǎn)和研發(fā),兩家公司通過不同的戰(zhàn)略布局,將發(fā)展的步伐進(jìn)一步加快。
長江存儲(chǔ)在產(chǎn)能方面雖然面臨著全面的限制,但是由于現(xiàn)在已經(jīng)停止了關(guān)鍵設(shè)備的進(jìn)口,建立在本土工具和材料供應(yīng)鏈方面也存在著諸多的挑戰(zhàn)。但是在研發(fā)方面,該公司依然取得了新的進(jìn)展。不僅推出了超過300層的NAND閃存,還同時(shí)推出了120層的新產(chǎn)品,目標(biāo)就是將外部不利的因素克服,使中國的半導(dǎo)體能力不斷的向前發(fā)展。
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