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印度是如何實現芯片制造本土化的

2020-06-08 15:18:24 編輯: 來源:
導讀 這一主題聽起來可能比我們在印度制造專欄中討論的其他主題更深奧,但如果要減少對電子產品進口的壓倒性依賴,它對該國來說是一個非常重要的領域。 它是關于光刻膠,這是電子芯片制造必不可少的原材料。 光刻膠用于印刷版,印刷電路板,平板液晶顯示器和磁記錄頭的生產,但最重要的用途是制造集成電路(IC)設備,如智能電子芯片和小工具的微處理器設備,IoT,AI芯片和高數據存儲計算機存儲芯片。 在光刻膠的幫助下,

這一主題聽起來可能比我們在印度制造專欄中討論的其他主題更深奧,但如果要減少對電子產品進口的壓倒性依賴,它對該國來說是一個非常重要的領域。 它是關于光刻膠,這是電子芯片制造必不可少的原材料。

光刻膠用于印刷版,印刷電路板,平板液晶顯示器和磁記錄頭的生產,但最重要的用途是制造集成電路(IC)設備,如智能電子芯片和小工具的微處理器設備,IoT,AI芯片和高數據存儲計算機存儲芯片。 在光刻膠的幫助下,改進所謂的光刻工藝的分辨率一直是半導體空間進步的關鍵。 是印度少數致力于廣泛光刻膠本土化的機構之一。2012年,該研究所承擔了為印度半導體工業(yè)和學術機構批量生產本土光刻膠配方的挑戰(zhàn)。 “光刻機是芯片制造的主力。 電子芯片無處不在,包括電信、機器人、航空航天、汽車、鐵路、國防,以及許多其他戰(zhàn)略和商業(yè)部門。 它對手機行業(yè)產生了巨大的影響;芯片上的晶體管數量越多,性能就越好。”IIT Mandi基礎科學學院副教授Subrata Ghosh說。 2012年,該研究所在芯片制造商英特爾的支持下開始了一項研究和開發(fā)未來器件制造技術的倡議,該倡議為20納米(N m)節(jié)點VLSI技術開發(fā)最先進的材料提供了30萬$。 這被證明在美國EUV(極端紫外光刻)下分辨率為20nm。為了結合這一點,臺灣半導體制造有限(),世界上在這一領域最有價值的公司,正在大量投資于5nm的制造,正在開發(fā)一條3nm的生產線,該生產線將于2023年開始生產,并打算開始開發(fā)2nm的光刻工藝。 目前,印度半導體工業(yè)參與了180nm節(jié)點技術的ISRO。 為了打印這些節(jié)點,Mohali的半導體實驗室(SCL)使用了四種不同類型的光刻膠,它們對深紫外光(DUV)很敏感。 由于沒有印度制造商開發(fā)這些DUV抵抗,SCL完全依賴外國供應商。 IIT Mandi光刻膠團隊正在開發(fā)這種DUV抗蝕劑。 位于艾哈邁達巴德的空間應用中心(SAC)在研發(fā)層面對70納米技術做了一些工作。 “該國晶圓印刷的生產能力有限。 對我們來說,主要的挑戰(zhàn)是缺乏本土光刻膠,幾乎沒有專門的測試設施來進行工業(yè)規(guī)模的生產,當然也缺乏熟練的人力。 更多的測試設施需要大量投資。 “目前,我們在SCL的工廠生產線上得到了很少的插槽來測試我們的產品,因為同一條生產線涉及芯片生產。 需要一個專門的測試設施。


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