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固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC 宣布了最終的DDR5 SDRAM規(guī)范。這一新標(biāo)準(zhǔn)有望提供兩倍的內(nèi)存帶寬,并支持四倍密度芯片,并具有更高的電源效率(1.1V Vdd)。此外,DDR5 DIMM完全可以自己在雙通道模式下運(yùn)行,同一模塊上有兩個40位完全獨(dú)立的子通道。
簡而言之,DDR5將:
最大管芯密度翻倍至64Gbit,可在生產(chǎn)趕上時實(shí)現(xiàn)高達(dá)2TB的DIMM容量
提供的最大標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)速率為6.4Gbps-比DDR4的官方3.2Gbps最大速度快50%。預(yù)計(jì)首批DDR5模塊將以4.8Gbps的速度啟動。最終,DDR5制造商可能會破壞最大6.4Gbps的數(shù)字。
由于半導(dǎo)體技術(shù)不允許更快的存儲時鐘,DDR5將使用更大的并行度來提高性能。因此,DDR5將為每個DIMM提供兩個獨(dú)立的32位數(shù)據(jù)通道(40位ECC),但是該標(biāo)準(zhǔn)仍然需要安裝DIMM對。通道的突發(fā)長度從8個字節(jié)增加到16個字節(jié)。
DDR4的工作電壓從1.2V降至1.1V。
內(nèi)存的電壓調(diào)節(jié)將從主板上的這些DIMM中刪除。使用這種方法,您的主板不需要為使內(nèi)存配置最大化而超標(biāo)。但是,對于消費(fèi)者來說,成本轉(zhuǎn)移是否可行還有待觀察。
它將保持與DDR4相同的288針數(shù),但由于引腳排列配置不同,主要由于模塊上的雙通道設(shè)計(jì),因此不能期望在舊的DDR4插槽中使用它們。
JEDEC表示,最終用戶應(yīng)該期望從現(xiàn)在起的12到18個月內(nèi)將有首批DDR5包裝設(shè)備,因此我們正在研究2021年下半年。英特爾和AMD都尚未正式宣布對DDR5的平臺支持,但仍處于初期。
JEDEC關(guān)于最終DDR5規(guī)范的新聞稿中確實(shí)包含來自英特爾,美光,三星和SK hynix等公司的推薦。后者證實(shí)它一直在與DDR5生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴合作,并希望在今年下半年確保大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。與此同時,美光宣布了其DDR5技術(shù)啟用計(jì)劃。
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