突破摩爾定律極限 在芯片之上蓋樓房 NBD對話科研團隊

AI行業(yè)中在GPT爆火之后出現(xiàn)了爆發(fā)式增長，這其中也有著巨大的算力需求，芯片的研發(fā)也由此不斷的推動，目前在先進芯片的制程方面幾乎已經(jīng)接近了極限，如何進一步將晶體管密度不斷的提高，也成為了在半導(dǎo)體行業(yè)作出研發(fā)極為核心的一項議題。

麻省理工大學(xué)的科研團隊研發(fā)硅基晶圓上生長二維材料晶體管這一技術(shù)，使得在未來很可能將晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)多層的堆疊，這一次的研究成果也非常適合新型的材料以及傳統(tǒng)硅基電路之間快速有效融合起來，柔性的二維材料能夠整合在多個表面之上，未來很可能在衣服上也能夠整合芯片。

芯片在研發(fā)的歷史上整個過程都較為遵守摩爾定律，每18個月到兩年時間在芯片研發(fā)的性能上都會達(dá)到翻一倍的效果，這意味著晶體管密度會越來越高，先進制成的量產(chǎn)芯片已成功進入到了3納米這一范圍當(dāng)中，未來會繼續(xù)向1納米這一個規(guī)格進軍。

但依1納米的制成也通常被認(rèn)為根據(jù)摩爾定律情況下增長的極限情況，因此芯片研究性也對于超薄的二維材料在不斷的探索，從而去制造晶體管利用能夠不斷疊加的這一方式將晶體管的密度再次做出新的突破。

此前科學(xué)家也曾經(jīng)嘗試過將二維材料生長到晶圓體上，但是利用有機金屬化學(xué)氣相沉積法，過程所需要的溫度要達(dá)到600攝氏度，但一到達(dá)400攝氏度時，電路以及硅晶體管就會有損壞的現(xiàn)象，高溫所造成的破壞一直也是研究方面的一個障礙，如果在其他地方將二維材料合成之后，做出移植后又有性能損耗相關(guān)的問題。