三星芯片制造部門(mén)突破：3納米工藝良率達(dá)60%，超越臺(tái)積電

2023-07-18 14:05:53 編輯：東方星舒來(lái)源：

導(dǎo)讀根據(jù)Hi Investment & Securities機(jī)構(gòu)最近發(fā)布的報(bào)告，據(jù)報(bào)道，三星旗下的芯片制造部門(mén)Samsung Foundry在3納米工藝上的良率達(dá)到了60%，...

根據(jù)Hi Investment & Securities機(jī)構(gòu)最近發(fā)布的報(bào)告，據(jù)報(bào)道，三星旗下的芯片制造部門(mén)Samsung Foundry在3納米工藝上的良率達(dá)到了60%，高于臺(tái)積電的55%。

報(bào)道稱(chēng)，三星正積極發(fā)展3納米工藝，不斷提升生產(chǎn)工藝和良率。目前，他們已經(jīng)將良率提高到了60%。據(jù)該媒體認(rèn)為，三星在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)方面將超過(guò)臺(tái)積電。

報(bào)告中還指出，三星目前在4納米工藝方面的良率為75%，與臺(tái)積電的80%存在一定差距。然而，通過(guò)加大對(duì)3納米工藝的發(fā)展力度，三星有望在未來(lái)超越臺(tái)積電。

報(bào)告還指出，由于臺(tái)積電的大部分訂單都被蘋(píng)果預(yù)訂，英偉達(dá)、高通等公司對(duì)三星的第二代3納米（SF3）工藝表現(xiàn)出興趣。

此前，IT之家曾報(bào)道了三星旗下的芯片制造部門(mén)Samsung Foundry在SFF 2023上公布的最新工藝技術(shù)路線(xiàn)圖。根據(jù)該公司的計(jì)劃，他們將于2025年推出2納米級(jí)的SF2工藝，并于2027年推出1.4納米級(jí)的SF1.4工藝。同時(shí)，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。

標(biāo)簽：三星芯片制造部門(mén)，3納米工藝