英特爾距離量子芯片生產(chǎn)又近了一步

英特爾在為高性能計(jì)算機(jī)新時(shí)代制造量子芯片方面已經(jīng)超越了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。

英特爾宣布量子芯片生產(chǎn)具有影響力的里程碑，新的硅自旋量子比特設(shè)備取得了顯著成果

在位于俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾 Gordon Moore Park 晶體管研發(fā)設(shè)施中，英特爾實(shí)驗(yàn)室和組件研究部宣稱已經(jīng)建立了硅自旋量子比特設(shè)備的 EUV 生產(chǎn)或極紫外光刻技術(shù)的最高記錄。該公司的工程師和研究人員已經(jīng)生產(chǎn)出具有非凡“均勻性”的量子芯片，在整個(gè) 300 毫米硅晶片上產(chǎn)生了 95% 的良率。

量子硬件總監(jiān) James Clarke 討論了他的團(tuán)隊(duì)在利用現(xiàn)有晶體管制造技術(shù)制造硅自旋量子比特方面取得的進(jìn)展。英特爾利用其半導(dǎo)體制造實(shí)力對(duì)于該公司在行業(yè)中發(fā)揮自身優(yōu)勢至關(guān)重要。預(yù)計(jì)該公司的硅芯片細(xì)化實(shí)例將應(yīng)用于英特爾的高級(jí)量子計(jì)算。

在最新的博客文章中，據(jù)說第二代硅自旋測試芯片的測試和生產(chǎn)引發(fā)了關(guān)于公司在量子芯片制造方面進(jìn)展的討論。英特爾的新量子設(shè)備使用 Cryoprober 進(jìn)行采樣，在 1.7 開爾文或 -271.45°C 的淺溫度下運(yùn)行，以保持量子比特的彈性，進(jìn)而允許它們用于計(jì)算利用率。英特爾繼續(xù)致力于“室溫量子計(jì)算機(jī)”，這是英特爾在新興開發(fā)領(lǐng)域面臨的額外挑戰(zhàn)。