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三星率先采用 GAA 節(jié)點(diǎn)

2022-10-12 14:40:38 編輯：杜儀旭來(lái)源：

導(dǎo)讀當(dāng)三星今年早些時(shí)候宣布已開始使用其 3GAE(3nm 級(jí)，早期全柵極)工藝技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片時(shí)，它從未透露它在其領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)上制造了什么樣的...

當(dāng)三星今年早些時(shí)候宣布已開始使用其 3GAE(3nm 級(jí)，早期全柵極)工藝技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片時(shí)，它從未透露它在其領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)上制造了什么樣的組件。看起來(lái)，三星使用 3GAE 制造用于加密貨幣挖掘的專用集成電路 (ASIC)。

三星3GAE 制造技術(shù)是業(yè)界首個(gè)依靠環(huán)柵 (GAA) 晶體管的工藝，三星稱之為 MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。GAA 晶體管架構(gòu)減少了漏電流，因?yàn)闁艠O現(xiàn)在被所有四個(gè)側(cè)面的溝道包圍;它還可以通過(guò)調(diào)整通道的通道厚度來(lái)改變晶體管性能和功耗。GAAFET 對(duì)高性能和移動(dòng)應(yīng)用程序特別有利，這就是英特爾和臺(tái)積電等公司努力在 2024 年至 2025 年使用它們的原因。

但根據(jù)TrendForce的說(shuō)法，第一個(gè)使用 GAAFET 的商業(yè)芯片似乎是一種加密貨幣挖掘 ASIC。TrendForce 的分析師認(rèn)為，該公司僅在明年才會(huì)使用 3GAE 制造工藝生產(chǎn)移動(dòng)片上系統(tǒng)。

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