美光推出 1β DRAM 工藝節(jié)點與LPDDR5X-8500 內存

美光周二宣布了其用于 DRAM 的下一代 1β (1-beta) 制造技術

(在新標簽中打開)(動態(tài)隨機存取存儲器)。新節(jié)點將使美光能夠降低其 DRAM 的成本，同時提高其電源效率和性能。1β (1-beta) 將是該公司最后一個依賴深紫外 (DUV) 光刻且不使用極紫外 (EUV) 工具的 DRAM 生產工藝。

美光的 1β 制造工藝使用該公司的第二代高 K 金屬柵極 (HKMG)，與制造的類似 DRAM 器件相比，據稱可將 16Gb 內存裸片的位密度提高 35%，并將電源效率提高 15%在公司的 1α 節(jié)點上。新的制造技術將特別適用于移動、服務器和桌面應用的大容量 DDR5 和 LPDDR5X 芯片。

與三星和 SK 海力士的競爭對手不同，美光目前不使用 EUV 工具，因此必須依靠各種多圖案技術來不斷縮小 DRAM 單元。

“我們推動了所有領域的創(chuàng)新，包括尖端的圖案倍增技術，”美光 DRAM 工藝集成副總裁 Thy Tran 說。“1β 還配備了新工藝、材料和先進設備來推進我們的存儲單元集成，以便我們可以縮小存儲單元陣列。[...] 為了最大限度地利用所有技術優(yōu)勢和我們的設計創(chuàng)新，我們還積極擴展內存單元的高度與尺寸和裸片中的其余電路有關，以節(jié)省空間并為給定密度帶來盡可能小的裸片，同時優(yōu)化功率和性能改進。

美光將使用其領先節(jié)點制造的第一款產品將是 16Gb LPDDR5X-8500 內存，但最終該公司將開始將該節(jié)點用于其他產品。據說 16Gb LPDDR5X 芯片提供增強的動態(tài)電壓和頻率縮放擴展內核 (eDVFSC) 電壓控制技術以節(jié)省功耗。