SK 海力士推出能夠以高達(dá) 9.6Gbps 的速度運(yùn)行的 LPDDR5T 內(nèi)存

SK 海力士宣布開發(fā)出世界上最快的移動(dòng) DRAM——LPDDR5T，也稱為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 5 Turbo。LPDDR5T 以 9.6Gbps 的傳輸速率運(yùn)行，比 2022 年 11 月推出的 LPDDR5X 內(nèi)存快 13%。

新的 LPDDR5T 內(nèi)存模塊遵循 JEDEC 的 LPDDR5 內(nèi)存超低電壓范圍(1.01 至 1.12V)，提供低功耗的高速內(nèi)存解決方案。

LPDDR5T 內(nèi)存受益于許多尖端技術(shù)，包括 HKMG 2(高 K 金屬柵極 2)。該工藝包括使用具有高介電常數(shù)的材料對(duì) DRAM 晶體管內(nèi)部的薄膜進(jìn)行絕緣。這將防止電流泄漏并提高電容，從而降低內(nèi)存的功耗并提高速度。

客戶獲得了 16 吉比特 (GB) 多芯片封裝的樣品，該封裝將多個(gè) LPDDR5T 芯片集成到一個(gè)封裝中。該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率為 77GB/s，相當(dāng)于一秒鐘傳輸十五部 FHD(全高清)電影。

隨著 5G 智能手機(jī)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，IT 行業(yè)預(yù)計(jì)對(duì)具有更高特性的存儲(chǔ)芯片的需求將增加。SK 海力士預(yù)計(jì) LPDDR5T 將超越智能手機(jī)，進(jìn)入人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和 AR/VR 等其他領(lǐng)域。SK海力士計(jì)劃在2023年下半年推出LPDDR5T內(nèi)存。