三星宣布推出新的NAND閃存設施 以滿足未來的數(shù)據(jù)中心和移動需求

全球先進存儲技術(shù)的領(lǐng)導者三星電子今天宣布計劃擴大其在韓國平澤市的NAND閃存生產(chǎn)能力，以增強該公司滿足新興技術(shù)需求的能力。該工程于今年5月開始，將在2021年下半年為三星最先進的V-NAND存儲器的大規(guī)模生產(chǎn)鋪平道路。

三星電子存儲器全球銷售與市場部執(zhí)行副總裁Cheol Choi表示：“這項新投資重申了我們致力于在存儲技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位的承諾，即使在不確定的時期也是如此。“我們將繼續(xù)以最優(yōu)化的解決方案為市場服務，同時為整個IT行業(yè)和整個經(jīng)濟的增長做出貢獻。”

在人工智能，物聯(lián)網(wǎng)和5G擴展推動下的第四次工業(yè)革命時代，增加的容量將在幫助滿足NAND閃存的中長期需求方面發(fā)揮重要作用。隨著數(shù)字生活方式的普及，三星將繼續(xù)積極進行新的投資，以抓住未來的市場機會。

三星的NAND閃存生產(chǎn)網(wǎng)絡已從韓國的華城和平澤擴展到了的西安。三星的平澤校區(qū)成立于2015年，是下一代存儲器技術(shù)的樞紐，由世界上最大的兩條生產(chǎn)線組成。

憑借其在制造和技術(shù)上的顯著優(yōu)勢，三星在過去18年中一直保持著NAND閃存的領(lǐng)導地位，最近的一項創(chuàng)新是去年7月推出的業(yè)界第一代第六代(1xx層)V-NAND。通過在全球各地進行平衡投資，三星旨在維持穩(wěn)健的生產(chǎn)網(wǎng)絡，從而進一步鞏固其市場領(lǐng)導地位。