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三星還指出,10nm工藝比以前的14nm工藝效率提高了30%,性能提高了27%,功耗降低了40%。該公司使用了包括三重圖案在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)雙向路由。
這家韓國(guó)公司還提到,性能增強(qiáng)的第二代10LPP處理器將在明年下半年投入量產(chǎn)。
三星電子鑄造業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Jong Shik Yoon說(shuō):“我們將繼續(xù)努力創(chuàng)新縮放技術(shù),并為我們的客戶提供差異化??的整體解決方案。”
三星還宣布,采用10納米制程技術(shù)的SoC將于明年年初和整個(gè)2017年投放市場(chǎng)。這可能意味著采用10納米制程的芯片可能會(huì)包含在即將于明年2月宣布的Galaxy S8中。年。
上個(gè)月的一份報(bào)告確實(shí)說(shuō),Galaxy S8可以由帶有ARM的Mali-G71圖形處理單元的Exynos 8895 CPU供電。據(jù)說(shuō)三星可能會(huì)在即將到來(lái)的旗艦中使用基于10nm的Exynos芯片組。搭載Exynos 8895 CPU 的Galaxy S8變體將在某些地區(qū)推出,而搭載Snapdragon 830芯片組的Galaxy S8將會(huì)進(jìn)入其他。
Mali-G71圖形處理單元將在850MHz下運(yùn)行,并且與Vulkan兼容。Galaxy S8可以提供兩種變體,一種帶有2k 5.1英寸曲面Super AMOELD顯示屏,另一種帶有4k 5.5英寸屏幕。智能手機(jī)還可以配備4GB RAM。
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