臺積電：預(yù)計(jì)2030年完成1nm制程芯片臺積電研發(fā)1nm

2023-12-29 14:34:38 編輯：闕雅儀來源：

導(dǎo)讀在當(dāng)?shù)貢r間2023年12月27日，根據(jù)外國媒體Tomshardware報(bào)道，臺積電公司在前幾日參加2023年IEEE國際電子元件會議時，發(fā)布了提高至1納米制程...

在當(dāng)?shù)貢r間2023年12月27日，根據(jù)外國媒體Tomshardware報(bào)道，臺積電公司在前幾日參加2023年IEEE國際電子元件會議時，發(fā)布了提高至1納米制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。根據(jù)臺積電規(guī)劃，公司將會推動3D封裝和單芯片封裝的技術(shù)發(fā)展，預(yù)計(jì)在2025年時公司就可以完成N2和N2P節(jié)點(diǎn)，使用3D封裝的芯片晶體管數(shù)量將會超過5000億個，使用傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將會超過1000一個。

另外公司計(jì)劃在2027年時達(dá)到A14節(jié)點(diǎn)，并且在2030年的時候達(dá)到A10節(jié)點(diǎn)，也就是1納米制程芯片，到那時，臺積電公司采用3D封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將會達(dá)到10,000億個以上，傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將會超過2000億個。不過因?yàn)榫w管的密度提高以后已經(jīng)逐漸接近物理極限，所以近期臺積電公司在提高制程水平的過程中遇到了諸多挑戰(zhàn)。