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SK 海力士發(fā)布新型 PLC 雙 2.5 bit 單元寫入速度與 TLC看齊

2023-08-21 19:09:28 編輯：寇軍靈來(lái)源：

導(dǎo)讀 SK 海力士將計(jì)劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND閃存。提高存儲(chǔ)密度的手段，除了提高層數(shù)之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D...

SK 海力士將計(jì)劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND閃存。提高存儲(chǔ)密度的手段，除了提高層數(shù)之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D NAND閃存已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，SSD受益于此價(jià)格也隨之開始降低。當(dāng)下市場(chǎng)上SSD的價(jià)格有一點(diǎn)上漲跡象，但是很多的廠家開始研發(fā)下一代5bit單元方案。通過(guò)全新的研發(fā)，能夠讓大家擁有容量更大以及速度更快的固態(tài)硬盤。

在FMS 2023閃存峰會(huì)上，SK 海力士展示了新型PLC技術(shù)的研究成果。這項(xiàng)技術(shù)的基本原理是用兩個(gè)2.5 bit 單元，這樣雙線程同時(shí)寫入會(huì)比5bit存儲(chǔ)要快得多。SK海力士設(shè)計(jì)新型PLC，將一個(gè) 5 bit 單元分為兩個(gè) 2.5 bit 點(diǎn)位，每個(gè)點(diǎn)存儲(chǔ) 2.5 bit 。綜合各個(gè)點(diǎn)的數(shù)據(jù)獲得5 bit數(shù)據(jù)，就可以使PLC寫入時(shí)間與TLC基本上相同。