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三星宣布36GbpsGDDR7內(nèi)存標準目標是到2030年發(fā)布1000層的V-NAND存儲解決方案

2022-10-08 11:35:08 編輯:嘉伊 來源:
導讀 與美光當前的24GbpsGDDR6X標準相比,新的36GbpsGDDR7標準的速度提高了50%。使用384位總線時,峰值GDDR7帶寬可以達到1.7TB/s。三星還計劃今...

與美光當前的24GbpsGDDR6X標準相比,新的36GbpsGDDR7標準的速度提高了50%。使用384位總線時,峰值GDDR7帶寬可以達到1.7TB/s。三星還計劃今年發(fā)布32GbDDR5芯片,并設(shè)想到2030年可以實現(xiàn)1000層V-NAND存儲的未來。

三星展示了新一波的內(nèi)存解決方案和未來計劃,以指數(shù)級提高數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、移動、游戲和汽車市場的性能。今年三星技術(shù)日的內(nèi)存亮點包括DDR5RAM容量的提高、下一代GDDR標準的發(fā)布以及V-NAND存儲技術(shù)的未來愿景。

對于DRAM市場,三星正在加速1b生產(chǎn)工藝,借助High-K等技術(shù),該工藝允許擴展到10納米以上。該公司將很快推出每個內(nèi)存芯片32Gb的DDR5密度,比現(xiàn)有的16Gb增加2倍,比24Gb芯片增加33%。此外,用于手機和超極本的8.5GbpsLPDDR5XDRAM解決方案也有望在來年得到更多采用。將進一步開發(fā)定制的DRAM解決方案,例如HBM-PIM、AXDIMM和CXL,以實現(xiàn)人工智能和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的加速處理。

下一代GPU將受益于更快的RAM,因為這家韓國巨頭宣布了傳輸速率高達36Gbps的GDDR7規(guī)格。與某些NvidiaRTX4000卡提供的美光當前24GbpsGDDR6X芯片相比,這一新標準應(yīng)將速度提高50%。使用384位總線,GDDR7理論上可以提供1.7TB/s的帶寬,但256位總線仍然可以突破1TB/s的限制。

最后但同樣重要的是,三星談到了V-NAND存儲內(nèi)存芯片的改進。1TbTLCV-NAND芯片將于2022年底上市,第九代V-NAND的開發(fā)已經(jīng)在進行中,首批芯片計劃于2024年生產(chǎn)。三星的目標是到2030年發(fā)布1000層V-NAND解決方案。


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