Snapdragon835預(yù)計(jì)將于上半年開始在商用設(shè)備中發(fā)售

在紐約舉行的一次活動(dòng)中，高通公司揭開了其充電技術(shù)最新進(jìn)展的序幕：Quick Charge 4.0。在先前的Quick Charge技術(shù)成功的基礎(chǔ)上，Quick Charge 4.0承諾提供更快的充電時(shí)間和更高的效率水平，從而使移動(dòng)消費(fèi)者花費(fèi)更少的時(shí)間在墻上。

高通公司發(fā)現(xiàn)，尋找新智能手機(jī)時(shí)人們最關(guān)注的四個(gè)問題中的三個(gè)與電池容量或電池充電速度有關(guān)，他們的目標(biāo)是利用Quick Charge 4.0繼續(xù)改善其強(qiáng)大的市場(chǎng)地位，有150多家公司支持快速充電，通過幫助緩解這些恐懼。

高通Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0聲稱僅用5分鐘的充電時(shí)間即可將使用Qualcomm Snapdragon 835芯片的旗艦智能手機(jī)的使用時(shí)間延長(zhǎng)5小時(shí)，而高通則將其提高為“ 5比5”。高通聲稱，僅需15分鐘的充電時(shí)間，便可以為手機(jī)快速充電，最高可達(dá)到50%的電池電量。

與Quick Charge 3.0相比，Qualcomm再次改進(jìn)了其Dual Charge并行充電技術(shù)(現(xiàn)稱為“ Dual Charge ++”)，以在最高5攝氏度的溫度下提供高達(dá)20%的更快充電速度和30%的更高效率。超越了先前的技術(shù)。

Quick Charge 4.0還具有高通公司的第三版INOV(最佳電壓的智能協(xié)商)電源管理算法。該版本的INOV包含實(shí)時(shí)熱管理，高通公司稱其為技術(shù)行業(yè)之首。INOV 3.0通過為當(dāng)前的熱條件確定和選擇最佳的功率傳輸水平來專注于優(yōu)化。

快速充電4.0的主要重點(diǎn)是改善安全性和保護(hù)功能，并添加了多個(gè)附加保護(hù)層以幫助防止電池過度充電。Quick Charge 4.0保留了許多現(xiàn)有功能，例如3層過壓保護(hù)，3層過流保護(hù)和4層過溫保護(hù)，并為它們補(bǔ)充了新功能，例如能夠檢測(cè)電壓的變化。使用的電纜的質(zhì)量和狀況。

不過，最重要的變化之一是增加了與USB Power Delivery(USB PD)的兼容性，這是在更好的時(shí)候出現(xiàn)的，緊隨Google的“強(qiáng)烈建議”，即設(shè)備僅支持充電與新的Android 7.0兼容性文檔中的USB PD兼容的方法 (有一點(diǎn)暗示Google將來“可能需要所有C型設(shè)備以支持與標(biāo)準(zhǔn)C型充電器的完全互操作性”)。

為了獲得最佳的QC 4.0性能，高通還推出了兩種新的電源管理IC，即SMB1380和SMB1381。這些PMIC專為低阻抗而設(shè)計(jì)，峰值效率高達(dá)95%，并支持電池差分感應(yīng)等高級(jí)功能。SMB3180 / 1將于2016年底上市。

從Qualcomm Snapdragon 835開始，下一代Qualcomm Snapdragon處理器將采用Qualcomm的Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)。Snapdragon 835預(yù)計(jì)將于2017年上半年開始在商用設(shè)備中發(fā)售。