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近日,據(jù)媒體報(bào)道,臺積電的每片晶圓銷售價(jià)格從10nm工藝節(jié)點(diǎn)開始呈指數(shù)級增長,其中3nm晶圓的價(jià)格一片高達(dá)20000美元。這也導(dǎo)致今年只有蘋果公司使用了臺積電的3nm工藝,其首發(fā)產(chǎn)品為搭載蘋果A17仿生芯片的iPhone 15 Pro。
臺積電的3nm工藝包括多個(gè)節(jié)點(diǎn),其中N3B、N3E、N3P、N3X和N3S等。N3B工藝具有45nm的CGP(Contacted Gate Pitch),相較于N5工藝,縮小了0.88倍,超越了Intel 4的50nm CGP、三星4LPP的54nm CGP和臺積電N5的51nm CGP。
與N5相比,N3B工藝在同等功耗下性能提升了10-15%,在同等性能下功耗降低了25-30%,邏輯密度提升了70%,SRAM密度提升了20%,模擬密度提升了10%。
然而,N3B工藝的短板在于成本高和良率低。因此,臺積電還開發(fā)了N3E節(jié)點(diǎn),該節(jié)點(diǎn)具有更高的良率和相對較低的成本,但邏輯密度不及N3B工藝,這意味著N3E的性能略低于N3B。
值得一提的是,蘋果A17芯片將會采用上述兩種3nm工藝。初期的A17芯片將使用臺積電的N3B工藝進(jìn)行制造,隨后將轉(zhuǎn)向良率更高、成本更低的N3E工藝。
臺積電3nm工藝的高價(jià)格和蘋果A17芯片的首發(fā)選擇引起了廣泛關(guān)注。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,人們對芯片工藝的性能和成本方面的需求也在不斷提高。未來,隨著工藝的進(jìn)一步發(fā)展,相信在更多廠商的應(yīng)用下,3nm工藝將逐漸成為主流,為智能手機(jī)和其他電子設(shè)備帶來更強(qiáng)大的性能和更高的能效。
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