跨越芯片業(yè)三座大山 始終繞不過(guò)芯片制造裝備前三名

芯片產(chǎn)業(yè)目前已經(jīng)成為全世界最為關(guān)注的焦點(diǎn)行業(yè)，全世界70%以上的電子終端產(chǎn)品大多都是在中國(guó)大陸組裝制造，其中生產(chǎn)出了大部分產(chǎn)品都是銷往全球各地，不過(guò)，我國(guó)的芯片生產(chǎn)仍舊是無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，所以相關(guān)企業(yè)在芯片方面還是依賴于進(jìn)口芯片，不過(guò)作為信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)的最底層基礎(chǔ)硬件，中國(guó)大陸的芯片產(chǎn)業(yè)鏈仍舊是繞不過(guò)三座大山，直接被支撐鏈和設(shè)計(jì)鏈卡了脖子。

關(guān)于中國(guó)大陸先進(jìn)制程芯片產(chǎn)業(yè)被卡脖子的問(wèn)題，國(guó)內(nèi)的很多專家給出了不同的意見(jiàn)，第一座大山便是18納米或者是以下級(jí)別的DRAM芯片，DRAM芯片是隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的意思，這種芯片具有運(yùn)算速度快，掉電之后數(shù)據(jù)丟失的特點(diǎn)，經(jīng)常是運(yùn)用在系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存中，自從1971年誕生之后，DRAM芯片就被稱作為芯片之王，在全球芯片市場(chǎng)份額中占據(jù)了17%左右。

第二座大山是128層或者是以上級(jí)別的Nand閃存芯片，這種芯片有著容量大，讀寫速度快的優(yōu)點(diǎn)，是比硬盤驅(qū)動(dòng)器更加好用的大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，雖然在芯片市場(chǎng)份額中低于DRAM芯片，但是他仍舊是能夠稱之為芯片榜眼，在5600億美元的全球芯片市場(chǎng)份額中，Nand閃存芯片能夠占據(jù)的比例為12%左右。

第三座大山便是14納米或者是以下的邏輯芯片，目前，14納米和以下級(jí)別的芯片制程主要是CPU，Gpu和apu等，這些芯片對(duì)性能要求都是比較高的，目前市場(chǎng)上比較主流的有AMD，英特爾CPU以及英偉達(dá)的gpu，具備14納米芯片制程工藝的芯片廠主要有中國(guó)臺(tái)積電，三星電子，英特爾，中芯國(guó)際與聯(lián)電企業(yè)，具備七納米芯片制程工藝的只有中國(guó)臺(tái)積電，三星電子和英特爾這三家，在這方面被卡脖子的主要原因就是這方面的芯片制作需要euv光刻機(jī)。